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IPB110N06L G 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IPB110N06L G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：78A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 78A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 94µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：79nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 30V
功率_最大：158W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝：PG-TO263-3
包裝：剪切帶 (CT)

IPB110N06L G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：78A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 78A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 94µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：79nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 30V
功率_最大：158W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝：PG-TO263-3
包裝：Digi-Reel®

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